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基于中间带太阳能电池的理论转换效率高、结构简单、制备成本低等诸多优点,吸引了大量的科学工作者对其进行深入的研究。而直接带隙半导体材料CuInS2,具有合适的禁带宽度(1.5eV)、较大的吸收系数、稳定性高、低毒等优势,成为了最具潜力的薄膜太阳能电池的光吸收层材料。本文采用粉末涂敷法,将稀土元素Ce掺杂CuInS2中,旨在制备CuIn1-xCexS2 (CICS)中间带吸收层材料。本实验利用粉末涂敷法在玻璃衬底上、在不同的转速条件下制备一系列预制薄膜；并经Ar气氛保护、不同温度的快速退火,制备了一系列