【摘 要】
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本文在SYNOPSYS公司软件TWB(TAURUS WORK-BENCH)构作的虚拟工艺平台基础上，利用工艺仿真软件TSUPREM-4和器件仿真软件MEDICI，设计了一种适用于智能功率集成电路的高压LDMOS。
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本文在SYNOPSYS公司软件TWB(TAURUS WORK-BENCH)构作的虚拟工艺平台基础上，利用工艺仿真软件TSUPREM-4和器件仿真软件MEDICI，设计了一种适用于智能功率集成电路的高压LDMOS。
重点研究：
1)全工艺过程下的高压RESURF技术实现，以及高耐压与导通电阻设计参数的折中选取。
2)叉指与非叉指结构LDMOS的终端设计问题，以及指端三维仿真计算的实现。
3)开漏输出LDMOS的ESD设计问题。
本论文的主要成果和结论：
1)考虑了全工艺高温过程对最终掺杂分布的影响，以及一定容差条件下的相容工艺设计。完成了一款耐压达到700v，导通电阻小于20 Ω的高压LDMOS设计。
2)改进了叉指形LDMOS指端结构。主要是增大高压LDMOS主结的有效曲率半径，稍微增加版图面积而有效提高了指尖处的击穿电压。
3)在开漏输出LDMOS的漏端增加一个P<+>区，在不影响器件正常工作的情况下，因附加了寄生SCR旁路，而具有较大触发电流的ESD保护能力。
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