【摘 要】
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该文较为深入地论述了1.3μm高速InGaAsP激光器的研制过程.其中对器件参数与结构、调制信号输入通道的设计,以及材料生长、端面镀膜与耦合封装工艺进行了重点讨论.在对激光器
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该文较为深入地论述了1.3μm高速InGaAsP激光器的研制过程.其中对器件参数与结构、调制信号输入通道的设计,以及材料生长、端面镀膜与耦合封装工艺进行了重点讨论.在对激光器的重要参数如：峰值波长、阈值电流密度、输出功率、调制带宽等计算和分析的基础上,优化了器件结构参数.为了降低器件的寄生电阻和电容采用半绝缘平面隐埋结构（SIPBH）,用两步低压MOCVD制作的应变多量子阱激光器,有源区包括：6个阱层和5个垒层,每个阱层宽7nm,波长为1.3μm,压应变1﹪;每个垒层宽8nm,波长为1.1μm,波导层厚10nm,波长与垒层相同,波导层与垒层均无应变.为了使调制信号能有效地加载到激光器管芯上和与外部传输线的阻抗能较好地匹配,我们设计了调制信号输入通道和一阻抗匹配电路,以提高组件的调制带宽.我们研制出的器件阈值电流小于20mA,调制带宽达到5GHZ.最后对器件的测试结果进行了综合的讨论,并提出了一些改进措施.
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