半导体激光器具有输出功率大、体积小、阂值电流低、调制简单、电光转换效率高的特点。伴随着国防科技的进步和社会的发展,使半导体激光器在各方面的应用和需求日益广泛和巨大,因此,对半导体激光器的可靠性和稳定性的研究显得越来越重要。半导体激光器退化的主要表现为功率降低,量子效率变小,而造成这种结果的主要原因是半导体激光器的腔面退化。本论文以激射波长为808m的GaAs基量子阱半导体激光器做为研究对象,提出了在真空中对半导体激光器进行腔面解理和蒸镀钝化膜的腔面处理方法,使半导体激光器的输出功率和COD阈值特性都有一定程度的提高,从而提高半导体激光器的可靠性。在半导体激光器解理钝化工艺方面,本文深入研究了半导体激光器真空解理钝化的工艺流程,并且对钝化膜的选取和厚度以及钝化膜对半导体激光器光学膜系统的影响也做了相关的研究。