外磁场作用下一维光子晶体的光传输特性研究

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光子晶体是按照晶体的对称性制备的周期性介电结构,其基本特征是具有光子带隙结构。光子晶体的带隙结构由光子晶体的对称性、组分材料的介电常数和原胞的尺寸决定。对于普通的光子晶体,其组分材料的结构固定后,光子能带的位置、形状就不能再发生变化。如果能够在不改变光子晶体组分材料的条件下,通过改变外部参数来调控能带,则可以对光子晶体的光传输特性进行更有效地调控。本文所研究的就是通过外加静磁场来调控光子带隙结构。介质的光学性质是用介电函数描述的。介电函数依赖于介质中带电粒子对外场的响应。在经典物理中,带电粒子对光场的响应可以用Lorentz振子模型描述,即带电粒子的运动可以看作在交变电场驱动下的受迫振子,介电函数由极化强度与外场的关系确定。如果将外磁场作用于光子晶体,由于洛仑兹力对带电粒子的作用,介电函数变成各向异性的张量,并在介电函数中出现新的频率参数—回旋频率。介电函数张量不仅依赖于光波的频率,而且依赖于外磁场的大小。此时,光子晶体组分材料的折射率受到磁场的调制,使光学厚度也随之调制,导致在其中光传播时相移的不同,这将对光子晶体的透射谱和带隙结构产生影响。本文从光的电磁理论出发,结合固体物理中的能带理论,运用传输矩阵法,对外磁场作用下一维光子晶体的光传输特性进行理论研究。考虑Voigt效应,即外磁场方向与光传播方向垂直,此时介电函数的变化对TE波没有影响,仅仅影响TM波。在外磁场作用下,围绕回旋频率ω_c,介电函数出现了新的共振区域,使组分材料的色散关系发生明显改变,导致在等离子频率附近的能带发生分裂,透射谱出现复杂结构。在光子带隙中出现窄通带,窄带中的光是局域的,带边电场分布的局域化更加明显。在一些频率范围和入射角度范围内,透射谱敏感地依赖于外磁场。当外磁场方向与光传播方向平行时,即Faraday效应下,出现了左旋偏振和右旋偏振,使光子晶体组分材料的左、右旋偏振介电函数受外磁场调制。对于右旋偏振的TM波,介电函数在外磁场的作用下,原来取负值的区域中出现一个共振吸收区,在其中介电函数出现了由正值到负值的急剧转变。透射峰向高频率区域移动,在低频率区域,随磁场的加大出现越来越多狭窄的透射峰和扁平的能带。而对于左旋偏振的TM波,外磁场对介电函数的调制很微弱,致使透射峰和光子晶体带隙向低频率区域缓慢移动,带边电场分布的局域化将发生改变。
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