【摘 要】
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SOI技术在未来的IC中占有很大的优势.该文以试验为基础,结合器件仿真,对SOI MOSEFT的特性及其热载流子可靠性进行了较全面的分析.论述了"kink"效应的出现机理,及在NMOSEFT与P
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SOI技术在未来的IC中占有很大的优势.该文以试验为基础,结合器件仿真,对SOI MOSEFT的特性及其热载流子可靠性进行了较全面的分析.论述了"kink"效应的出现机理,及在NMOSEFT与PMOSEFT之间所存在的差别.并对SIMOX SOI器件所特有的高栅压下漏电流的深度饱和进行了研究.另外基于SOI器件,分析了沟道热载流子效应与TDDB的耦合现象,发现由于沟道热载流子在漏端附近向栅氧中的发射注入依旧会引起器件的栅介质击穿.最后,对沟道热载流子应力所引起的器件参数退化进行了研究,发现在低栅压下,因PBT效应的作用,器件参数漂移呈现多特性规律,这使得预测低栅压偏置条件下的器件寿命变得异常困难.
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