自组装GeSi量子点的研究得到了广泛的关注，它是实现Si基光电器件的重要材料。毕业论文中主要研究内容如下：　　 1、独立设计了一台用于GeSi材料和器件外延的气源分子束外延设备。这台设备由VG公司的固态源分子束外延设备改造而成。通过MKS公司的压力控制器(PC)640A和直径为0.2mm小孔控制流量。以乙硅烷和锗烷为气源，硅的生长速率为每小时500nm，生长速率与小孔前压力成正比。　　 2、利用气源分子束外延设备(MBE)制作了GeSi自组装量子点样品。利用原子力显微镜(AFM)和光致荧光(PL)光谱研究了量子点的形貌和光学性质。气源MBE在较低温度下生长的量子点材料具有较高的量子点覆盖度。200K以下载流子以局域激子形式束缚在量子点中，激子束缚能约为17meV。升温至200K，载流子的输运过程发生变化。对量子点PL积分强度与温度关系曲线进行拟合得到量子点中空穴跃迁至浸润层的热激活能为129meV。　　 3、对大尺寸低密度的锗量子点的变温光荧光进行了研究。光荧光的测试范围为10K到300K，采用低强度连续光谱激发。量子点的光荧光积分强度在100K以下随着温度升高显著增强。通过对量子点和浸润层的光荧光实验数据的分析，我们给出直接的证明：在量子点和浸润层之间存在着由应力产生的势垒，载流子在低温时被势垒限制在浸润层中，在温度达到一定高度后，载流子克服势垒进入量子点。