单晶硅太阳能电池因其原料充足,工艺成熟,效率较高占据着太阳电池的主要市场,但是成本过高却成为阻碍其发展的瓶颈,而成本低廉的薄膜太阳能电池效率又过低。利用薄膜转移技术制备的单晶硅太阳电池,既可以降低制造成本,又能够保证单晶硅电池的效率,是单晶硅电池的主要发展方向之一。薄膜转移技术首先需要获得具有不同孔隙度的双层多孔硅。因此本文从降低成本方面考虑,研究在薄膜转移技术中起关键作用的孔隙度不同的多层多孔硅。本文采用二步阳极氧化法以(100)单晶硅片为衬底制备了双层多孔硅。研究了电解液浓度、时间和电流密度对多孔硅孔径和孔隙率的变化规律和对双层多孔硅孔径的影响,分析了退火对双层多孔硅结构的影响。得到的主要结论如下:　　1.单层多孔硅的孔径和孔隙率随着阳极氧化电流密度的增加和腐蚀时间的延长而增大,而随着电解液浓度的增高而减小。　　2.实验发现随着电解液浓度的降低,形成的双层多孔硅孔壁变薄,孔径变大;随着时间的推移和电流密度的增加,形成的双层多孔硅的孔径在增大。通过SEM的表面图和截面图得知:当给硅片施加小电流的时候,形成了随机相互连通的海绵状小孔洞;当施加大电流的时候,形成了树枝状的微观孔状结构。　　退火导致了多孔硅结构的重组,使得原来小电流制备的小孔的表面发生闭合,而原先相互连接的大孔形状在经过退火后变为拉长的树突状孔洞。