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作为第三代宽带隙半导体材料，SiC具有极强的抗辐射性能，在航空航天、核能开发等方面具有非常明朗的应用前景。辐照条件下，SiC晶体中引入大量缺陷，其晶体结构、力学性能、电学性能、光学性能、热学性能等都将发生变化，在应用过程中将会产生相当大的影响。因此，研究辐照条件下SiC晶体性质的变化是非常必要的。退火可以使辐照产生的缺陷演化消失，使得晶体的力、热、光、电等性质回复，是研究辐照条件下晶体性能的一种不可或缺的手段。本文通过高分辨率透射电子显微镜、紫外-可见-近红外吸收透射谱、光致发光谱等手段研究了1.67×1020n/cm2剂量下中子辐照6H-SiC晶体的光学性质的变化，得到的研究成果如下： 1.经过1.67×1020n/cm2中子剂量辐照的6H-SiC产生的缺陷类型主要是点缺陷及其聚集体。 2.中子辐照后6H-SiC的吸收增加，带隙变窄，带边红移，乌尔巴赫能量变大。随退火温度升高，乌尔巴赫能量变小，乌尔巴赫能量起源于缺陷引起的带尾之间的跃迁。 3.中子辐照在6H-SiC的吸收谱近红外区域1178nm、1410nm、1710nm处引入新的吸收峰（A峰、B峰、C峰），A、B峰的退火演化趋势与硅空位VSi类似，将A、B峰的起源归因于辐照产生的硅空位VSi。 4.中子辐照6H-SiC的发光特点是：辐照及辐照后1000℃退火之前的样品并没有出现发光峰，当退火高于1000℃时，出现了出现了510 nm、540 nm和575 nm三个绿色发射峰。其原因是辐照导致6H-SiC的透射谱的截止波长由393 nm增大到1726 nm，随着退火温度的增加截止波长逐渐减小。若要检测到发光峰的存在，辐照后SiC的截止波长应小于该发射峰的波长。 5.中子辐照6H-SiC的退火有两个阶段：小于800℃退火时，样品中主要是间隙原子、弗兰克尔缺陷对及碳空位的迁移消失。高于800℃退火时，硅空位VSi、其缺陷缔合体及其它稳定缺陷开始在缺陷演化中起主导作用。 6.首次提出硅空位VSi的类铍原子模型以此来解释中子辐照引入的硅空位VSi扮演光吸收心或者发光心的角色。