掺入钒、锶的钡钨阴极发射性能研究

来源 :中国电子科技集团公司电子科学研究院 | 被引量 : 0次 | 上传用户:fenglilong_liumang
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作为真空电子器件的电子源,阴极的应用一直都很广泛,常见于行波管、速调管、磁控管等电子器件中。在各式各样的阴极中,热阴极得到了广泛的应用。在各种热阴极中,由于钡钨阴极具有发射电流密度大、抗中毒性能好、耐离子轰击能力强、寿命长、活性物质蒸发少、发射电子空间分布均匀、激活时间短等优点,因而得到了广泛的应用。本课题通过理论计算结合实验研究,对掺入钒和锶的新型钡钨阴极作了较为系统地研究,使用密度泛函理论,构建了不同的阴极表面原子模型,并计算了功函数和吸附能。以(2×2×1)W(001)面为基础,在表面的顶位、桥位和洞位分别吸附1ML的O原子,发现O原子更倾向于吸附在顶位,并且功函数最大。将Ba原子吸附在W-O表面后,发现Ba原子更有可能吸附在洞位,表面最佳覆盖度在0.5ML左右。在W-O-Ba偶极子表面的洞位吸附V原子和Sr原子,发现同时吸附两种原子后体系的吸附能更有可能取决于最后吸附的原子,V的吸附使得表面功函数降低,Sr则使表面功函数升高。最后制备了掺入3%质量分数SrVO3的钡钨-钒锶阴极,使用扫描电镜和X射线衍射仪分析了制备出的新型活性发射物质的表面形貌以及组成成分。测试发射电流密度得到,钡钨-钒锶阴极在1050℃下脉冲发射电流密度达8.71A/cm~2,高于普通铝酸盐钡钨阴极的6.77A/cm~2;钡钨-钒锶阴极在1100℃下脉冲发射电流密度高达14.25A/cm~2,远高于普通铝酸盐钡钨阴极的8.99 A/cm~2,表明钒和锶的掺入有利于降低钡钨阴极表面的功函数。最后讨论了具有极低功函数的钙钛矿结构材料Sr VO3,将其掺入到钡钨阴极中,有望形成超低功函数的阴极发射表面。
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