采用溶胶凝胶法分别制备了ZnWO₄粉末和Ta₂O₅/Si薄膜,还通过原位聚合的方法制备了P25@PANI,利用X-射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）、扫描电子显微镜（SEM）、俄歇电子能谱（AES）和红外光谱（IR）等分析手段对产品进行了形貌和结构表征,并研究了这些材料的光催化活性。1.采用溶胶凝胶法在450⁸00℃间制备了纳米ZnWO₄颗粒。ZnWO₄的颗粒大小、晶体大小和结晶度随着前驱体煅烧温度的升高和时间的增加不断增大。用ZnWO₄颗粒在紫外光下降解罗丹明B（RhB）和甲醛气体（FAD）来检测其光催化活性。发现在这两种条件下催化剂的活性变化趋势一致,先随着制备温度和时间的增加而增大,然后下降,说明在两种条件下决定催化剂活性的因素都是催化剂的比表面积、结晶度和分散性。550℃下煅烧10小时得到的ZnWO₄颗粒活性最好。在气相条件下得到的光催化活性最好时的催化剂与P25的活性相当。2.采用原位聚合法制备了被导电高分子聚苯胺修饰的P25复合物。利用紫外漫反射（UV-Vis DRS）、热重实验（DTA-TGA）和高分辨透射电镜（HRTEM）研究了聚苯胺在P25表面的包覆情况,发现在紫外光照之后聚苯胺在以很薄的一层包覆P25。IR和RAMAN的研究说明聚苯胺和P25之间具有某种电子传输作用。在紫外和可见光下（λ> 490 nm）降解亚甲基兰溶液的实验发现,被聚苯胺修饰的复合物紫外光活性有所增加,并在可见光下产生了可见光光催化活性。3.利用溶胶凝胶法和旋转制膜法在单晶Si基底上制备了Ta₂O₅膜。薄膜的表面形貌与前驱体溶液的浓度有关,用10%的前驱体溶液甩膜三层可以得到形貌较好的薄膜。当前驱体薄膜的制备温度大于500℃时,Ta₂O₅晶体形成。AES的表面分析、深度剖析和线形分析技术研究表明在700℃以下的热处理时,Ta₂O₅/Si薄膜界面处以扩散作用为主;800℃高温热处理时在发生界面扩散的同时也发生了界面反应,生成了SiO₂,界面扩散和界面反应都将对薄膜和基底元素的化学价态发生影响。利用在紫外光下降解RhB来研究光催化剂的催化活性,发现该薄膜催化剂的光催化活性与Ta₂O₅晶体的晶粒大小和结晶度有关,同时也发现可以用交流阻抗谱来研究薄膜光催化剂的光催化活性。