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目前,白光LED实现白光的主要方法是荧光转换法,即采用一个LED芯片和荧光粉组合复合成白光。单一基质白光荧光粉在近紫外光的激发下能直接发射白光,与其它体系荧光粉相比,有颜色稳定,色彩还原性较高,成本较低等优点。因此单一基质白光荧光粉最近几年越来越受到人们的关注,成为新一代白光LED照明的研究热点。本文采用传统的高温固相法合成了一系列白光LED用荧光粉,包括RE(Eu3+,Tb3+,Dy3+)单掺杂Gd2MoB2O9荧光粉材料、Eu3+,Tb3+以及Eu3+,Dy3+共掺杂的单一基质Gd2MoB2O9白光荧光粉材料、Dy3+掺杂的Gd2(MoO4)3的白光荧光粉材料、Eu3+,Tb3+以及Eu3+,Dy3+共掺杂的单一基质Gd2(MoO4)3白光荧光粉材料,以及RE(Eu3+,Tb3+,Dy3+)掺杂的NaBaPO4荧光粉材料。采用X射线衍射、SEM、光谱分析等测试手段对材料进行了表征。采用高温固相法合成了Eu3+, Tb3+, Dy3+掺杂的Gd2MoB2O9荧光粉以及Eu3+,Tb3+和Eu3+,Dy3+共同掺杂的单一基质白光荧光粉Gd2MoB2O9。探讨了激活剂离子的不同掺杂浓度对其荧光粉发光性能的影响以及Eu3+和Tb3+, Eu3+;和Dy3+在该基质中的能量传递。研究结果表明：Eu3+,Tb3+,Dy3+的掺入并不影响样品晶体结构的形成。Gd2MoB2O9:Eu3+中Eu3+没有出现浓度猝灭效应。Tb3+和Dy3+的最佳掺杂摩尔分数分别为20%和5%。在Gd2MoB2O9基质中存在Tb3+→Eu3+和Dy3+→Eu3+的能量传递现象。通过调节Eu3+, Tb3+和Dy3+的掺杂浓度,荧光粉的色坐标在白光区域内可以实现自由调控。Gd2MoB2O9:Eu3+,Tb3+和Gd2MoB2O9:Dy3+,Eu3+是适用于白光LED的单一基质荧光粉。采用高温固相法合成了Gd2(MoO4)3:Dy3+, Gd2(MoO4)3:Eu3+,Dy3+和Gd2(MoO4)3:Eu3+,Tb3+荧光粉。探讨了激活剂离子的不同掺杂浓度对其荧光粉发光性能的影响以及Eu3+和Tb3+, Eu3+和Dy3+在该基质中的能量传递。研究结果表明：Eu3+,Tb3+,Dy3+的掺入并不影响样品晶体结构的形成。Dy3+在Gd2-x(MoO4)3:xDy3+体系中的最佳掺杂摩尔分数为12%。在Gd2(MoO4)3基质中存在Dy3+→Eu3+和Dy3+→Eu3+的能量传递。激发波长不同,样品的色坐标变化较大,在290nm激发下,系列样品的色坐标位于黄绿色区域。在393nm激发下,系列样品呈现出暖白光。通过调节Eu3+,Tb3+和Dy3+的掺杂浓度,荧光粉的色坐标在白光区域内可以实现自由调控。Gd2(MoO4)3:Dy3+,Eu3+, Gd2(MoO4)3:Tb3+,Eu3+是一种适用于白光LED的单一基质荧光粉。采用高温固相法合成了Eu3+,Tb3+,Dy3+掺杂的NaBaPO4荧光粉,探讨了激活剂离子的不同掺杂浓度对其荧光粉发光性能的影响以及Eu3+和Tb3+在该基质中的能量传递。实验结果表明：NaBaPO4荧光粉的最佳合成温度为850℃,Eu3+,Tb3+,Dy3+的掺入并不影响样品晶体结构的形成,在NaBaP04基质中,Eu3+,Tb3+,Dy3+的最佳掺杂摩尔分数分别为20%,7%和2%。在NaBaP04基质中存在Tb3+→Eu3+的能量传递。NaBa0.95-rPO4:0.05Eu3+,xTb3+荧光粉的色坐标位于橙色区域,因此,NaBaPO4:Eu3+,Tb3+并不适合作为白光LED用单一基质白色荧光粉。