固态SiO2阴极在熔盐中直接电解强化工艺

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FFC法是一种在氯化钙基熔盐体系中将固态金属氧化物直接电解制备固态金属或合金的方法,具有工艺简单,对环境友好等优点。如果采用惰性阳极则是一种绿色生产工艺。  FFC法不要求固态金属氧化物溶解到熔盐中,避开了传统以氧化物为原料进行低温熔盐电解时氧化物溶解度、溶解速度降低等问题。操作温度范围也可以根据需要,通过调整熔盐组成来控制。然而FFC法本身也存电解速率慢等问题。阴极片的制备对解决FFC法电解速率慢的问题至关重要。此外,氧化物阴极片制备也存在温度高、能耗大问题。  本论文通过分别采用Na2SiO3和CaCl2作为添加剂,SiO2为原料,在CaCl2熔盐中进行SiO2电解制备单质硅。考察Na2SiO3和CaCl2添加量、烧结时间和电解工艺对阴极片制备和电解的影响。采用XRD、SEM、EDS和实物照片对样品进行表征。研究结果表明:单质硅被制得;合适的硅酸钠和氯化钙质量百分比添加量均为6%,添加硅酸钠的阴极合适烧结条件为600℃,烧结5小时;添加氯化钙的阴极合适烧结条件为600℃,烧结4.5小时,添加剂对强化阴极片制备起到粘接作用,大大降低了阴极片的制备温度,600℃即可满足要求;二氧化硅电解还原为一步完成,即SiO2+4e-→Si+2O2-。
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