伴随着现代电子工业的迅猛发展,对电子器件集成度的要求越来越高,因此其尺寸将变得越来越小。传统硅基芯片的小型化采取的是自上而下的模式,其发展的规模和速度,遵循著名的“摩尔定律”。但当电子器件的尺寸小到一定尺度时,传统的加工工艺将不再适用。因此,从分子尺度出发,制备具有特定功能的电子器件已成为当前电子学研究的一个热门领域,所谓的“分子电子学”应运而生。自上世纪七十年代分子整流器的概念提出以来,随着实验方法和理论研究的深入发展,分子电子学在实验和理论研究方面都取得了许多突破性的进展。本论文主要通过结合密度泛函理论、电子弹性输运理论和非平衡态格林函数方法相结合的技术手段研究了苯取代低聚噻吩电子器件的电子结构和输运机理,主要内容如下。针对苯取代低聚噻吩衍生物体系的电子输运性质展开研究,主要讨论了中心分子与电极以不同方式连接及推拉电子基团对器件输运性能的影响。计算结果表明,当中心分子连接在电极的Top位时,器件表现为金属传导特性,而当中心分子连接于电极的Hollow位时,器件表现出半导体传导特性。另外,由于中心分子的不对称结构,该器件可表现出一定的整流特性,且其整流方向可随外加偏压的变化发生改变。推拉电子基团的引入,可在一定程度上影响器件的整流性能。