光谱增感是光信息记录与存储的关键技术,深入研究光敏材料光谱增感的微观机理,对光谱增感理论及应用具有重要意义和价值。本文以光谱增感立方体卤化银微晶为研究对象,应用本实验室自行研制的微波吸收介电谱检测装置和研究建立的光电子衰减模型,开展了光谱增感卤化银光电子衰减的动力学研究。选用仅对结构特性产生影响的355nm波长的激光激发样品,测量其光电子衰减时间分辨谱。首次发现了染料吸附对氯化银中光电子衰减有两种作用,不但能加速光电子的衰减,而且能使光电子衰减变慢。结合吸收光谱分析得知：氯化银吸附染料单体时,光电子寿命变长；氯化银吸附染料J-聚集体时,光电子寿命变短；并得到了一定实验条件下染料对卤化银两种作用转换的临界增感浓度。选用仅被染料吸收的波长为532nm的激光激发样品,测量其光电子时间分辨谱,得到了不同增感条件下吸附增感、减感染料卤化银中光电子寿命变化规律,比较355nm和532nm激发增感氯化银时光电子衰减结果,实验上证实了光谱增感的光电子转移理论；实验发现：增感染料J-聚集体显著提高卤化银中光电子强度；对比光电子强度的测量结果得知：染料J-聚集体是增强光电子强度提高光电子转移效率的关键。为进一步理解和解释卤化银中光电子衰减行为,在系统地分析各种因素对光电子衰减影响的基础上,结合体表比对光电子衰减的研究结果：影响光电子衰减的深电子陷阱分为表面和内部两种,建立了卤化银光电子衰减动力学的一般模型。给出了光电子衰减动力学方程,和卤化银基本参数的确定方法。应用一般模型,建立了光谱增感卤化银中光电子衰减具体模型,探讨和分析了染料对卤化银光电子作用机理；研究得知修饰作用只对卤化银表面能级结构产生影响,深电子陷阱效应改变了材料的微观结构,增加了隙间银离子。