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该论文开展了对含吡唑类配体的VIB金属羰基配合物的合成、反应及结构的研究,合成了70余个新化合物,并取得了如下研究成果.1.通过吡唑配体和M(CO)<,6>(M=Cr、Mo、W)的光化学反应,合成了一系列的M(CO)<,5>L化合物,研究了该类化合物的晶体结构及吡唑环上取代基的电子效应对该类配合物性质的影响.结果表明:吡唑环上的取代基极大地影响其秘VIB金属羰基化合物的反应活性及其配合物的结构.含二茂铁基的吡唑VIB金属羰基配合物在固态时能形成分子间氢键,金属羰基作为氢键的接受体形成新颖的一维链状配位高分子或二聚体.吡唑为单齿配体,配合物的稳定性顺序为Cr~W>>Mo.2.鉴于取代吡唑VIB金属羰基配合物的电化学性质研究在文献报道中较为少见,我们详细地研究了该类配合物的电化学性质,结果表明:对应于配位中心原子,Cr系列化合物中存在一个可逆或准可逆的氧化还原过程,而对Mo、W系列配合物来说,则存在一个不可逆的单电子氧化过程,这与双吡唑烷类VIB金属羰基配合物显著不同.3.当吡唑等杂环化合物上含有S、P等杂原子时,往往能改变整个配体的电子及立体效应.因此,我们研究了吡唑环上带上S原子取代基对形成双吡唑烷配体及其与VIB金属羰基配合物的光化学反应的影响.结果表明:硫原子不参与配位,但吡唑环上带上含硫原子取代基极大地影响了配体的立体及电子效应.3(5)-苯基-5(3)-硫甲基吡唑烷基化产物受立体因素控制,而3(5)-对甲氧基苯基-5(3)-硫甲基吡唑和3(5)-叔丁基-5(3)-硫甲基吡唑烷基化产物受到电子因素与立体因素的共同控制.通过配体与M(CO)<,6>的光化学反应,首次发离得到了不对称取代的双吡唑烷VIB金属配合物,但3位取代基的立体位阻减弱了双吡唑烷与M(CO)<,6>的反应.4.吡唑环上取代基的不同,既影响吡只烷的立体取向,又对吡唑烷的配位能力有重要影响.3位的取代基紧邻配位N原子,因而直接影响配体的配位能力,4全上的取代基尽管远离配位N原子,但它可以通过其吸电子及供电子性质来影响配体的配位能力.我们首次研究了双吡唑烷桥碳原子带上有机金属取代基后对其反应影响,结果发现了一类新颖的重排反应.当取代基为脂肪基锡时,配体和W(CO)<,5>(THF)反应仅生成正常取代产物,当取代基为芳香基锡时,配体和W(CO)<,5>(THF)反应除生成少量正常取代产物外,非活性的Ar<,3>Sn-C键发生重排反应,得到了结构新颖的小环多金属杂环化合物.研究了配体上取代基的立体效应对重排反应的影响,重排反应的动力可能来源于配体及配合物分子内较大的立体张力,非活性的Ar<,3>Sn-C键被活化,促使其在较温和的条件下发生重排.5.我们合成了吡唑烷桥碳原子带上同为第四主组的硅、锗基团的双唑烷配体,研究了其于W(CO)<,5>(THF)的反应.结果发现无论是脂肪基硅还是芳香基硅(锗),均只能得到正常取代产物,R<,3>Si-C及R<,3>Ge-C并不发生类似的重排反应,这可能是与Si-C及Ge-C键较Sn-C稳定有关,但带有机硅的双唑烷配体易分解为相应的取代吡唑.晶体结构表明其配位中心钨原子为变形的八面体结构,六员金属环M-N-N-C-N-N仍然是船式构象.