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随着电子技术的发展，微波电子系统对小型化、高性能微波器件的需求日益迫切。可调介质薄膜的介电系数具有随外加偏压变化而变化的调谐特性，可以应用该特性研制微波器件。立方焦绿石结构的铌酸铋镁Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7（BMN）薄膜在外加偏压下具有较高的介电调谐率，且其介电损耗小，利于制备性能优异、品质因数高的微波器件。因此，BMN在未来有广阔的应用前景。本文使用射频磁控溅射方法在Al2O3基片上制备BMN薄膜。本文采用损耗拟合方法研究了BMN薄膜的介电损耗机理，进而优化BMN退火工艺，得到低损耗的BMN薄膜。另外，根据高频下BMN薄膜的损耗行为，分析平行板电容结构上电极尺寸对BMN薄膜损耗的影响，为后续低损器件制备提供参考。本文的主要研究结果如下：1、通过介电损耗测试方法，分析低频（40KHz-1MHz）、高频（1GHz-6GHz）BMN薄膜的损耗行为，结合拟合数据，判定氧空位造成的带电缺陷损耗机制是BMN薄膜的主要损耗机理。2、结合带电缺陷损耗机制，优化退火工艺，得到低损耗的BMN薄膜。沉积BMN薄膜后，退火时间延长至2小时，并通以纯氧气氛补偿氧空位从而减少薄膜缺陷。1MHz测试频率下，BMN薄膜损耗降至0.26%，且薄膜表面形貌得到明显改善。3、延长退火时间，增加退火气氛中氧的含量对于BMN薄膜的介电调谐性能无明显影响。本文制备出的BMN薄膜介电调谐率最大为19.1%。纯氧气氛下退火的BMN薄膜漏电流最小值为4×10-7A/cm2，薄膜耐压性好，不易击穿。4、通过测试低频、高频下BMN平行板电容损耗，探讨上电极尺寸对器件损耗的影响。结果表明，在低频测试条件下，损耗受上电极尺寸（面积A和周长P）影响。P/A越大，BMN电容边缘效应越明显，损耗越大。高频时，BMN电容损耗主要与上电极面积有关。此时，相同制备条件得到的BMN电容，上电极面积越小的样品，其损耗反而越小。