电子同时具有电荷和自旋两个属性，从器件应用上来讲，电子的电荷属性已经得到了充分应用，形成了今天规模庞大的微电子世界。然而，电子的自旋，虽然很早已经被发现，它在器件上的应用却相当有限。自从第一个自旋晶体管被提出来，自旋电子学作为一个新的领域迅速发展。一系列新的物理现象，比如自旋霍尔效应，量子自旋霍尔效应，等等相继被发现；一系列新的量子器件不断被提出，包括自旋场效应晶体管，自旋滤波器，自旋干涉仪，自旋电池，自旋电容等等。使用自旋取代电荷，或者同时使用自旋和电荷来进行信号和信息处理，实现量子计算，具有速度快，能耗低，密度高等众多优点，但是还有许多问题尚未得到解决。人们研究了二维电子气和二维空穴气的自旋霍尔效应，但是，关于激子的自旋轨道耦合体系人们关注的却很少。在本文中，我们首先回顾了自旋和自旋电子学的概念，回顾了自旋轨道耦合在原子体系，Dirac理论和有效质量理论下的描述，特别关心了最重要的两种自旋轨道耦合：Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合，并对激子体系进行了概述。人们对二维电子气和空穴气的自旋霍尔效应进行了大量的研究，对于激子自旋轨道耦合体系的研究却十分有限，在本文的第二章，我们首先回顾了二维电子和空穴的自旋霍尔效应，并由此研究了在自旋轨道耦合存在的情况下，准二维激子也可以表现出自旋霍尔效应。此外，我们还提供了一种可能的办法来实现激子自旋霍尔效应。在本文的第三章，我们回顾了自旋轨道有效磁场和自旋弛豫的内容，主要研究了自旋轨道耦合引起的激予明态向暗态的转变，这种转变可以作为一种方法来获得长寿命的激子。在本文的第四章，我们考虑了自旋轨道耦合对激子绝缘体基态的影响，调整自旋轨道耦合的强度可以调整有效带隙，为实现激子基态提供必要的条件，此外，自旋轨道耦合的存在，对序参数和相干因子都产生了影响。在第五章，我们回顾了现在已经被提出来的各种自旋器件，着重考虑了利用激子自旋设计器件的可能性。最后在第六章给出简单的总结。