【摘 要】
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近年来,由于量子点具有其它体材料所不可比拟的优越性,越来越被人们关注,所以量子点材料的制备和性质的研究,是当今社会最前沿的科学技术,尤其是Ⅲ-Ⅴ族体系的一些材料具有非
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近年来,由于量子点具有其它体材料所不可比拟的优越性,越来越被人们关注,所以量子点材料的制备和性质的研究,是当今社会最前沿的科学技术,尤其是Ⅲ-Ⅴ族体系的一些材料具有非常广阔的应用前景,需要人们不断去探索。本文是利用MBE生长技术制备高密度GaAs基InAs量子点材料,首先详细的介绍了MBE的具体设备,分析了对量子点形成的影响因素,利用原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(SEM)等手段研究了生长条件、生长温度、生长速率、沉积厚度以及砷压对量子点的面密度,平均高度,表面形貌等一些性质的影响,并给出了合理的解释。利用光致发光谱(PL)研究了温度和激发功率的变化对InAs/GaAs量子点材料发光特性的影响。又提出了应变层中In的组分对量子点的均匀性及发光波长的影响,并对影响规律给出了理论解释。
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