石墨烯是零带隙半导体材料,本身无法做成晶体管器件,也无法实现开关特性,因此对于石墨烯的能带调控非常重要。如何在石墨烯中引入并且调节能隙,这已经成为石墨烯研究领域的核心问题之一。这将是石墨烯电子器件应用的基础保障,也为石墨烯的制造提出了新的挑战。我们在石墨烯.的研制中有效利用纳米网结构,利用纳米结构对相应位置的石墨烯进行原位还原,这样就在相应的纳米微区对石墨烯实现了剪裁改性。首先,我们分别利用电化学和溶胶-凝胶法制得了氧化锌反蛋白石和二氧化钛反蛋白石,以及氧化锌/二氧化钛复合结构。通过结构表征,很好地证明了纳米网结构的完整及其有序性。然后,通过反蛋白石结构作为电荷传输路径,在氧化石墨烯表面进行电化学还原,光催化还原。我们通过对氧化还原程度控制,也即控制电还原和光催化时间,实现了氧化石墨烯的网状还原。通过拉曼、傅立叶红外等测试手段的表征,证实我们获得了部分还原的带状纳米网的石墨烯,有效地调控了石墨烯的能带结构。最后,我们对部分还原纳米网石墨烯进行了电极的蒸镀,研究了它的电学性能,通过控制电还原时间、光催化时间,制备了多个样品,分别蒸镀上铝电极,进行了Ⅰ-Ⅴ测试。通过电导率的研究,表明控制还原时间,可以实现氧化石墨烯的纳米网状还原,即从氧化石墨烯到纳米网石墨烯,如果还原时间过长,则可以得到完全还原的石墨烯。在此基础上,我们制备了石墨烯的场效应晶体管,其电学性质有待于我们进一步的研究。