纳米材料相当于一次技术革命,其中导电高分子纳米复合材料具有优良的导电性能。导电高分子纳米复合结构具备表面修正、功能化作用的性质,这使得其在导电、吸附能力、光电性质和生物传感器等各方面都有较大的提升。因此对于新型导电纳米材料的研究迫在眉睫。本论文共设计了（VBz）_n@MoS₂NT、(C₂₄)_n/MoS₂和(C₂₄V)_n/MoS₂三种导电纳米器件,同时利用DFT和NEGF的方法对器件的导电特性进行了测试。对于（VBz）_n@MoS₂NT导电纳米器件,在电子传导过程中,（VBz）_n@MoS₂NT的中心（VBz）_n纳米线起主导作用,与此同时,壳层MoS₂NT也参与到电子传导过程中。这一现象不同于（VBz）_n@CNT和（VBz）_n@BNNT复合结构。对于（VBz）_n@CNT,主要是金属特性的壳层CNT控制着传导特性,而对于（VBz）_n@BNNT,几乎仅仅取决于中心（VBz）_n纳米线。对比纯的（VBz）_n,（VBz）_n@MoS₂NT的导电性有些微的提高,类似于（VBz）_n,（VBz）_n@MoS₂NT也表现出自旋极化特性:自旋向下轨道比自旋向上轨道有一个更高的导电性。（VBz）_n@MoS₂NT的自旋过滤效率值能够达到80%以上,这意味着它可以做一个好的储备在自选过滤器件方面。另外,研究也发现将（VBz）_n封装入MoS₂NT可以引入磁性。更重要的是,（VBz）_n@MoS₂NT有一个好的热稳定性。因此,将（VBz）_n封装入MoS₂NT能够有效地优化电子和传导特性可以用在开发新型的功能化导电纳米设备。对于(C₂₄)_n/MoS₂和(C₂₄V)_n/MoS₂导电纳米器件,可以发现(C₂₄)_n/MoS₂和(C₂₄V)_n/MoS₂都是相对稳定的纳米复合结构。将C₂₄s键入到MoS₂表面的S原子上可以显著地提高结构的导电性。将V原子添加到C₂₄s中间可以引入三个有趣的特性:磁特性,半金属特性,NDR行为。(C₂₄)_n/MoS₂与(C₂₄V)_n/MoS₂这些新奇的特性可能应用在二维纳米电子设备方面。