随着各种非线性晶体的广泛应用和光纤技术的迅猛发展,单晶光纤的研究越来越引起了人们的注意.它具有光纤本身的优点;同时由于选取晶体材料的多样性,又可以做成激光晶体光纤、非线性单晶光纤、光折变晶体光纤、电光晶体光纤、高熔点晶体光纤等很多种类,具有非常广泛的应用前景.其中,A轴向生长单晶光纤轴向上具有更大的电光系数和更好的非线性效应,近年来引起了人们格外的关注.本文中分别详细的给出了弱各向异性和强各向异性下A轴向生长单晶光纤的模式理论,讨论了A轴向生长单晶光纤的色散关系和横向电场分量的结构特性,并分析了纤芯和包层的各向异性度d<,eo>和d<,eod>对色散关系的影响.首先从麦克斯韦方程出发,给出了A轴向生长单晶光纤的电磁场方程.对于弱各向异性A轴向生长单晶光纤,在弱导波近似的条件下,采用微扰的方法给出了精确到一阶的横向场分量的表达式、边界条件、以及色散方程.对于几个较低阶模式,数值的分析了色散曲线和横向场分量的结构特性;并研究了纤芯和包层的各向异性度d<,eo>和d<,eod>对色散曲线的影响.对于强各向异性A轴向生长的单晶光纤,不再满足弱导近似条件,文中着手精确的求解了强各向异性A轴向生长单晶光纤的电磁场方程,给出了横向场分量的精确解.考虑精确到二阶的边界条件,得到了强各向异性A轴向生长单晶光纤的色散方程.仅仅考虑强各向异性的A轴向生长单晶光纤中含有单个基元模式,分别讨论了基元模式在远离截止区、近截止区和导模区的色散方程.并数值的讨论了强各向异性A轴向生长单晶光纤仅仅存在m阶基元模式时的色散曲线以及横向场分量的结构特性.