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在托卡马克放电过程中,速率大于一定阈值的电子受到的碰撞阻尼力小于环向电场力,可在环向电场的持续加速下成为逃逸电子,其能量最高可达数十MeV。大通量的高能逃逸电子严重威胁着装置的安全运行,对逃逸电子的行为进行实验研究并探索有效抑制逃逸电子产生的方法是托卡马克等离子体物理学的主要研究内容之一。基于对核工业西南物理研究所HL-2A装置上的大量放电数据进行观察分析,本论文主要做了以下工作:1.深入分析了初级产生机制和逃逸电子产生的临界条件相关理论,得出了影响逃逸电子产生的两个关键因素——电子密度和电场强度。对HL-2A装置上欧姆放电下平顶阶段逃逸电子产生的阈值状态进行统计,并与理论阈值进行对比,研究发现HL-2A装置上逃逸电子产生的临界电场强度是Conner-hastie理论电场强度的12-58倍,抑制逃逸电子产生的临界电子密度远比理论预测的要低。对逃逸电子增长率的研究发现初级产生机制下逃逸电子的增长率与电场强度成正比,与电子密度成反比,这说明了可以通过减少环电压或提高等离子体密度来减缓或抑制逃逸电子产生。2.研究了电子回旋共振加热(ECRH)对等离子体电子分布的影响,在ECRH期间,等离子体芯部热电子和高能电子大量产生,并在ECRH关断后逐渐被慢化。探讨了ECRH可抑制逃逸电子的原因,发现ECRH期间电子温度升高导致等离子体电导率增加,环电压下降,电子逃逸的临界能量提高,抑制或减缓了逃逸电子产生。最后统计对比分析了ECRH功率和持续时间对抑制逃逸电子产生效果的影响。3.研究了等离子体破裂期间逃逸电子产生和逃逸束形成,对纵场强度与逃逸电子和逃逸电流产生的关系的统计分析表明HL-2A装置在低纵场(1.2-1.5 T)下破裂期间没有逃逸电流产生,这是由于低纵场下磁扰动强烈,逃逸电子发生径向输运而慢化。最后分五个阶段探讨了有逃逸电流平台出现的典型破裂各阶段特点,分析了破裂期间逃逸电子形成和电流的演变,最后总结了破裂逃逸的主要特性。