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高功率半导体激光器具有体积小，光电转换效率高，波长可选择，高可靠性等优点，已广泛用于通讯、光信息存储、材料加工、激光医疗等。由于高功率半导体激光器芯片材料独有的特性，其解理腔面易发生氧化，产生光吸收，吸收的光转化成热量，加剧了器件退化，甚至导致器件失效。为了提高半导体激光器的输出激光功率和器件可靠性，人们已发展了多种半导体激光器腔面镀膜技术。 本论文围绕高功率半导体激光器腔面镀膜技术，研究了不同工艺条件下光学薄膜特性。同时设计并在GaAs片上制备了增透膜和高反膜，根据腔面反射率对半导体激光器斜率效率，阈值电流，功率转换效率的影响，设计优化了腔面反射率。并结合实验室自己制备的腔长为4mm，激射波长为980nm的InGaAs/GaAs/AlGaAs高功率半导体激光器，进行半导体激光器前腔面增透膜，后腔面高反膜制备，并测试分析了高功率半导体激光器腔面镀膜前后斜率效率，阈值电流，功率转换效率，光学灾变(COD)阈值不同。主要研究内容为: 1.研究真空度，离子源辅助，基体温度，沉积速率，不同工艺条件对光学薄膜的影响，找出最佳工艺条件。并根据最佳工艺条件，分别在Si衬底镀制单层SiO2，TiO2，Al2O3，ZnSe薄膜，并分别测试其折射率。 2.依据光学薄膜相关理论，设计了SiO2和Al2O3单层增透膜，TiO2/Al2O3双层增透膜，TiO2/SiO2膜系周期性多层高反膜，并根据镀制单层光学薄膜最佳工艺条件，在GaAs基片上进行单层增透膜，双层增透膜，多层高反膜制备，以使实际所镀增透膜和高反膜符合理论设计。 3.对腔长为4mm的980nm的InGaAs/GaAs/AlGaAs高功率半导体激光器分成三组，第1组激光器不镀膜（R1=32％，R2=32％），第2组分别镀制R1=5％增透膜和R2=90％高反膜，第3组分别镀制R1=5％增透膜和R2=95％高反膜，比较三组激光器输出功率，斜率效率和阈值电流变化，研究对比第1组和第2组激光器功率转换效率，光学灾变(COD)阈值。