在信息科技不断发展的今天,人们对高品质显示器的追求逐渐提高,而有机电致发光器件(OLEDs)的主动发光,面板发光,视角广,响应时间短,发光效率高,色域宽,工作电压低,器件厚度薄,可制成弯曲面板,制作工艺相对简单,成本低等特性,吸引了人们的广泛关注和研究。考虑到未来OLED的商品化应用,我们需要保证器件具有较低的驱动电压,并在此基础上能够获得较高的发光效率。因此,本论文从降低OLED器件电压以及提高器件效率两方面开展了以下的研究工作。具体内容如下:1、在空穴注入方面采用了P型掺杂方式,主要研究了掺杂空穴缓冲层F4-TCNQ:Mo O3优化浓度和厚度下对空穴注入、传输的作用。从能级角度,我们分析了P型掺杂空穴缓冲层,在减小空穴界面注入势垒,利于空穴载流子的注入,降低器件驱动电压上的效力。通过薄膜表面形貌的测量,F4-TCNQ:Mo O3薄膜表面相对平整,更有助于空穴的注入。当掺杂缓冲层的浓度为50%,厚度为2 nm时,最佳器件的发光效率得到很大提高,同时与对比器件相较,器件的启亮电压和驱动电压(亮度为1000 cd/m2时)分别降低了1 V和2.3 V。2、在电子注入方面,应用了高迁移率的C60作为电子传输层,分别与三种电子缓冲层Alq3、Bphen和TPBi相结合的分层注入、传输结构,并研究了该结构对器件的电压和效率等方面的影响。在高迁移率C60最优厚度的基础上分别对Alq3、Bphen和TPBi的电子缓冲层的厚度进行了优化,器件的发光性能有了提高。与不含电子缓冲层的器件相较,有C60/电子缓冲层的结构器件发光特性有了大的改善。说明引入C60/缓冲层的结构,可以让器件在低电压驱动下有良好的电子注入能力,且使得器件中电子与空穴的注入、传输能力达到了平衡,有效地提高了激子的复合几率,从而降低了效率的滚降,同时缓冲层的加入起到了对C60层的保护作用。3、结合上述两部分的工作,将P型掺杂缓冲层F4-TCNQ:Mo O3和分层注入的C60/Bphen组合到一起,制备了类PIN结构的OLED器件。当发光材料为Alq3时,类PIN型器件相比于传统结构的OLED器件的启亮电压降低了31.6%,驱动电压降低了35.9%,同时电流效率提高了94%,功率效率提高了近164%,实现了器件在低压驱动下的高效发光。此外,把发光材料更换为蓝光材料TC-1759后,发现该类PIN型OLED器件也能获得很好的低压高效性能,证实了这种类PIN结构应用的广泛性。