【摘 要】
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本文利用热灯丝化学气相沉积法(HFCVD)制备了纳米量级的碳薄膜材料，对它的电学性质及场发射性质进行了详细的研究。在扼要概述碳的几种同素异形体的发现、性质和用途的基础上，分析了用热灯丝化学气相沉积法(HFCVD)制备金刚石薄膜的生长机理。阐述了在金刚石薄膜生长过程中气相碳源、固相基底以及激活氢分子与原子对生成产物的影响。分别用热力学理论和统计理论计算了碳膜的成核密度及生长速率，得出临界核尺寸和成核
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本文利用热灯丝化学气相沉积法(HFCVD)制备了纳米量级的碳薄膜材料，对它的电学性质及场发射性质进行了详细的研究。在扼要概述碳的几种同素异形体的发现、性质和用途的基础上，分析了用热灯丝化学气相沉积法(HFCVD)制备金刚石薄膜的生长机理。阐述了在金刚石薄膜生长过程中气相碳源、固相基底以及激活氢分子与原子对生成产物的影响。分别用热力学理论和统计理论计算了碳膜的成核密度及生长速率，得出临界核尺寸和成核速率。在对热灯丝化学气相沉积法(HFCVD)制备纳米量级的碳薄膜材料的反应系统描述的基础上，对该反应系统
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