随着现代相控阵雷达和无线应用的发展,Ku频段的应用场景变得非常重要。传统的雷达收发（T/R）组件由分立器件构成,其缺点是体积大、功耗大,且成本高。相反,单片集成的雷达T/R组件不仅能够在各种商业和军事应用中提供所需的功能,而且成本较低。低噪声放大器（LNA）作为单片集成T/R组件接收机中的第一个模块,其噪声系数的大小很大程度上决定了接收链路的噪声性能,因此设计一个能够在Ku频段内具有低噪声系数的LNA是接收链路设计中的关键点。本论文基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计工作于16-18GHz频带内的低噪声放大器。SiGe BiCMOS工艺提供了高截止频率的异质结晶体管（HBT）,作为低噪声放大器中的有源放大器件具有先天优势。该低噪声放大器由输入匹配网络、射极电感负反馈共射共基（Cascode）结构的放大电路和输出匹配网络构成。本文重点研究了在Ku频段内实现噪声和输入功率同时匹配的方法,实现在输入阻抗与源阻抗形成共轭匹配的同时使噪声系数NF达到最小噪声系数NF_min。通过电磁场仿真,设计了具有较高品质因数的片上螺旋电感,进一步降低了低噪声放大器的噪声系数。负载采用并联峰化结构提高带内增益平坦度,并通过优化低噪声放大器的版图减小寄生参数的影响。本文进行了电路设计、前仿真、版图设计和路场混合后仿真。路场混合后仿真结果表明,在3.3V的电源电压下和16-18GHz频带内,该低噪声放大器的噪声系数均小于2.1dB,带内增益S₂₁为15.1-15.3dB,输入和输出匹配(S₁₁和S₂₂)均小于-10dB,输出1dB压缩点大于0dBm。本文设计的16-18GHz低噪声放大器满足设计指标要求,经过流片验证后可以应用于相控阵雷达T/R组件中。