介孔分子筛具有有序的孔道、丰富的表面羟基和形貌。利用介孔分子筛有序孔道为模板，经过前驱物渗透→前驱物转化→脱模制备一维材料，文献中已有很多报道。事实上，由于扩散阻力的影响和分子筛外表面的吸附作用，利用分子筛孔道进行‘纳米浇铸’（nanocasting）制备一维材料，结果往往不令人满意。文献报道，在活性基团（羟基、羰基、羧基、醚键等含氧基团）定向排列的物理模板表面上，通过活性基团和金属离子的配位作用，使金属离子有序排列，可以得到金属纳米线。介孔分子筛具有丰富的表面羟基，以介孔分子筛表面为模板，利用分子筛表面羟基的弱配位能力（亲核性）和表面形貌的多样性，选择合适的反应物和介质，有望在分子筛表面上实现一维材料的控制合成。 我们制备了MCM-41、MCM-48和SBA-15三种硅基介孔分子筛，制备了有机杂化介孔分子筛和金属离子改性介孔分子筛，并对上述分子筛进行了XRD、氮气吸附-脱附、IR、SEM表征。发现在物系中能形成多聚酸根的钒酸盐，在表面活性剂用量较低（CTAB／SiO₂=0.4，molar ratio）的情况下，容易得到有序性较好的V／MCM-48分子筛。 探索了介孔分子筛在无机纳米合成中的应用。用分子筛表面为模板，以GaCl₃作镓源、NaN₃作氮源，苯热法（280-300℃）制备了GaN纳米棒、纳米管、纳米环和纳米晶；以GaCl₃作镓源、Li₃N作氮源，苯热法（260-300℃）制备了GaN纳米线和纳米晶。以GaCl₃作镓源，在受潮分子筛表面上，苯热法（280-300℃）制备了β-Ga₂O₃纳米棒，而β-Ga₂O₃通常在高温下（600℃）才能得到。在GaCl₃、Na₃P和二甲苯反应物系中，以分子筛表面作模板，低温下（70℃）制备了GaP纳米树枝（GaP dendrites）。对上述纳米材料进行了XRD、TEM、HRTEM、EDS、SEM、XPS表征。 发现了分子筛表面羟基的配位-催化作用和分子筛表面形貌的‘助吸附’作用。这两者共同作用，不仅可以提高产物的产率、结晶度，也有助于实现纳米材料的形貌控制合成。对上述不同材质、不同形貌纳米材料在分子筛表面的生长机理，进行了有益的探索。提出了羟基促进→前驱物成膜→薄膜卷曲→成棒的纳米棒生长机理；提出了SLS（solution-liquid-solid）引发的纳米管顶端生长（tip-growth）和基底生长（base-growth）机理；提出了羟基定位-凹面辅助的纳米环生长机理；在