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“近紫外LED芯片(380-410nm)+三基色荧光粉”合成白光是继“蓝光LED芯片+YAG:Ce3+黄色荧光粉”之后的新一代白光LED技术方案,这种方案得到的白光显色指数高,色温可调。基于4f-4f跃迁的Eu3+掺杂红色荧光粉可被近紫外LED激发,且荧光发射波长主要集中在615nm附近,具有发射带窄,发射红光色纯度高的特点,非常符合这种新方案对于红色荧光粉的要求。然而,由于Eu3+的4f组态内的相关跃迁属于自旋禁戒跃迁,该类荧光粉在近紫外区的吸收和红光波段的发射均较弱。针对这一问题,本工作制备获得了两种新型的可以实现高浓度Eu3+掺杂的荧光粉,并对其紫外光激发下的红色发光性能开展了研究。采用高温固相法合成了 LiGd3(1-x)Eu3x(MoO4)5(LGM:xEu3+,x=0,10,20.,100at.%)荧光粉,并对其结构和光谱性能进行了研究。在395nm光激发下,该荧光粉发出5D00→7F2(615nm)的红光,Eu3+在LGM中的最佳掺杂浓度为90at.%。LGM:90at.%Eu3+荧光粉5D0→7F2跃迁的发射强度是商业红粉Y2O2S:6.3%Eu3+的2.5倍,内量子效率为41%,其色坐标为(0.6705,0.3292),与标准红光的色坐标(0.67,0.33)一致,色纯度接近100%。该荧光粉还具有较好的热稳定性,当温度升高到475K时,其5D00→7F2跃迁的发射强度为室温的54%。以上结果表明LGM:90at.%Eu3+荧光粉是一种可被近紫外LED激发的具有潜在应用价值的红色荧光粉。通过高温固相法还合成了KBaY1-xEuxSi2O7(KBYS:xEu3+,x=0,10,20,….,100at.%)荧光粉,并对其结构和光谱性能进行了研究。在394nm光激发下,该荧光粉发出5D0→7F2(610nm)的红光,Eu3+在KBYS中的最佳掺杂浓度为80at.%。KBYS:80at.%Eu3+的5D00→7F2跃迁的发射强度为商业红粉Y2O2S:6.3%Eu3+的六分之一,内量子效率为58%,其色坐标为(0.6459,0.3536)。KBYS:80at.%Eu3+荧光粉的热稳定性非常好,当温度从室温升高到748K时,其5D00→7F2跃迁的发射强度仅减小9%。最后对KBYS:80at.%Eu3+和LGM:90at.%Eu3+两种荧光粉的晶体结构和发射强度进行了对比分析,两种结构都有利于实现高浓度Eu3+掺杂,在钼酸盐中Eu3+具有更强的5D00→7F2超敏跃迁发射。