【摘 要】
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透明导电氧化物薄膜以其接近金属的导电率、可见光范围内的高透射率、红外波段的高反射率以及其半导体特性，广泛地应用于太阳能电池、显示器、气敏元件、抗静电涂层以及半导体/绝缘体/半导体(SIS)异质结、现代战机和巡航导弹的窗口等领域。由于施主型本征缺陷的存在，目前得到普遍研究和应用的TCO薄膜大多是n型半导体。但是如果能够获得p型半导体TCO材料，则可以实现由TCO材料构成的透明p-n结和相应的透明半导
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透明导电氧化物薄膜以其接近金属的导电率、可见光范围内的高透射率、红外波段的高反射率以及其半导体特性，广泛地应用于太阳能电池、显示器、气敏元件、抗静电涂层以及半导体/绝缘体/半导体(SIS)异质结、现代战机和巡航导弹的窗口等领域。由于施主型本征缺陷的存在，目前得到普遍研究和应用的TCO薄膜大多是n型半导体。但是如果能够获得p型半导体TCO材料，则可以实现由TCO材料构成的透明p-n结和相应的透明半导体器件，而性能优越的p型TCO薄膜将为制造透明电子元器件迈出意义深远的一步。本论
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