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化学气相沉积法(CVD)表面生长单壁碳纳米管(SWNTs)是其器件制备和应用的基础。SWNTs可以是导体也可以是半导体,在纳米器件方面有着广泛的应用,如场效应晶体管等。但是其性能不仅取决于螺旋性也和它的直径有关。因此,如何控制它的螺旋性和直径是该领域面临的需要解决的两个重要的难题。本文通过CVD方法,对催化剂在基底表面的分散、不同催化剂、碳源等对SWNTs在基材表面的生长和直径的影响进行了研究,并对SWNTs的定向生长的机理和表面碳纳米管的转移进行了探索。(1)通过对硅基底的