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量子.点(quantum dots:QDs)材料具有强烈的光吸收、超快电荷分离、,尺寸可调和可溶液处理等优异特性,使其在低成本高灵敏度的光电探测器领域得到广泛关注和应用。量子点能够与导体或半导体形成的异质结结构具有独特的相容性和优异的电荷分离能力,使其成为开发下一代高性能光电器件的潜在候选者。高响应的量子点光电探测器已经实现紫外、可见、红外的宽光谱检测,为半导体与高性能器件的集成提供了机遇。黑磷量子点.(Black Phosphorus quantum dots:BPQDs)具有较高的空穴迁移率和成熟的制备工艺,在光子和光电领域已被广泛用于增强光采集、光子转换、光子吸收等。基于BPQDs的光电探测器未被广泛报道,限制了其在光电探测领域的应用。本论文研究了量子点-石墨烯场效应晶体管制备工艺,并设计了有机物增强型的量子点掺杂结构和量子点增强型的双量子点复合结构。对制备的器件进行光学性能和电学性能的表征,并对其光电流传输机制和器件的性能进行探讨,为BPQDs探测器的应用提供了新的研究方向。本论文采用湿法转移单层石墨烯的工艺进行横向结构的量子点光电探测器的制备。基于PN异质结理论,选取N型电子受体PC61BM和P型黑磷量子点的掺杂结构,我们设计并制备了一种横向的PC61BM-BPQDs-Graphene光伏型探测器。在450nm-1000nm波段,器件的响应度达到103A/W量级。与同类型的PC61BM-Graphene探测器相比,该类型器件中响应度提高2个量级,响应时间明显加快,实现高响应、快速探测和宽光谱检测的目的。最后论述了PC61BM掺杂浓度和电极尺寸对器件性能的影响。本论文选取硫化铅量子点(PbSQDs)对BPQDs进行功能化。基于光栅压效应和光电导增益效应,我们设计并制备了一种底栅结构的PbS QDs-BPQDs-Graphene光电导型探测器。在400 nm-1000 nm波段,器件的响应度达到103 A/W量级,增益达到106量级,外量子效率达到2882%,实现了高响应、高增益和快速探测的目的。然后证实响应度与功率成反比,增益与功率成正比,外量子效率与功率成反比。最后论述了石墨烯导电沟道、氧化问题和电极尺寸对器件性能的影响。