无源器件尤其是电感是射频集成电路中至关重要的器件。先进的射频CMOS工艺已经能在片集成无源器件。在片无源器件能有效减小封装寄生参数，提高电路稳定性和性能，因此其应用已经成为一种趋势。但是在片无源器件仍然面临着严重的挑战，一方面射频电路对在片无源器件的性能要求越来越高(如高品质因子的电感)，此外，如何实现高精度、宽带、并具有很好的可重复性从而尽量降低建模过程中对工程师的经验依靠的模型，已经是射频电路设计的一个重大课题。 目前无源器件建模方法主要包括电磁场仿真方法，等效电路物理模型方法，以及基于测量数据的等效电路参数提取方法(简称参数提取法)等。其中，基于参数提取的建模方法是集成电路工业界的首选，因为该方法精度高，而且其等效电路模型与SPICE类型的电路仿真器完全兼容，能进行时域，频域甚至噪声分析。 传统上，参数提取主要采用迭代拟合优化的方法，比如遗传算法，指数下降算法，最小二乘算法等。这种方法的一个根本性缺陷是收敛性问题，如果初始值选取不当，将会产生多值解。此问题在多参数的复杂系统中变得更严重，并同时有优化时间长等缺点。 本文在对在片电感元件进行电磁场仿真、物理模型、迭代拟合等研究基础上，创新性地提出了一种特征函数解析法来提取模型参数。该方法使用解析公式对电感的等效电路进行参数提取，速度快，精度高，物理性强，而且避免了传统的迭代拟合优化中存在的收敛性问题。该方法将对电感的建模工作具有重要意义。