【摘 要】
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本文的研究对象是新型宽带隙III-族氮化物 (InN、GaN和AlN) 和三元化合物MgZnO的热光系数。InN薄膜用溅射方法生长在GaAs (111)衬底上，对它们的研究从变温度的反射光谱出发
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本文的研究对象是新型宽带隙III-族氮化物 (InN、GaN和AlN) 和三元化合物MgZnO的热光系数。InN薄膜用溅射方法生长在GaAs (111)衬底上，对它们的研究从变温度的反射光谱出发计算得到其折射率和热光系数的色散关系，发现热光系数在带隙附近有较大的增加，这主要归因于万尼尔激子的贡献。生长在不同条件(衬底温度和溅射压强)下的InN样品的热光系数在近带隙区域由于带隙的微小差异而不同，并且带隙和热光系数对生长条件的依赖性表现出大致相反的趋势。
本文总结了已有的研究热光系数的实验方法和理论。一般较大的热膨胀作用会产生负的热光系数。在此基础上，建立了一套形式简单的热光系数半经验公式，可以用来很好的计算热光系数的色散关系，并能与实验结果较好地符合。这些都为III族氮化物和MgZnO在光电器件中的应用准备了较好的理论基础。
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