GeSe2是一种宽禁带半导体材料,其禁带宽度为2.7eV,是IVA-VIA族化合物家族中的重要成员。作为一种新型的多功能材料,GeSe2因其在光学、电学、离子交换等众多领域拥有广阔的应用前景而成为了近些年来研究者们的研究热点。本文以GeSe2纳米带为研究主体,着重探究了Bi掺杂GeSe2纳米带的电阻开关性能,同时探索了纳米带的压阻效应,以期研制出一种新型的非挥发性存储器件。本文通过对传统的化学气相沉积进行改善,在特定催化剂存在的条件下制备出GeSe2:Bi纳米带,并通过XRD、SEM、TEM以及XPS等手段对其形貌及结构进行了分析。随后,将单根GeSe2:Bi纳米带制备成简单的场效应器件,经实验测定,GeSe2:Bi纳米带是典型的P型半导体,且其空穴迁移率高达690cm2V-1s-1。制备具有“金属-绝缘层-金属”(MIM)结构的纳米器件,测量其电阻开关性能。实验结果表明:Ge Se2:Bi纳米带呈现出典型的电阻开关效应并伴随有负差分电阻现象。我们提出了空间电荷极化机理来解释器件的电阻开关行为。此外,器件呈现出的可逆性、优越的稳定性、非破坏性读取和良好的循环性能表明了GeSe2:Bi纳米带可以作为新一代的电阻式存储器件。将制备的纳米器件分别在静态、动态应变作用下进行压阻性能测试,测试结果表明:器件电阻在压应变作用下减小而在张应变作用下增大,且在张应变作用下的压阻效应更加明显。选取适当形变量,以0.005 Hz的三角波电压,40 s为一周期对器件进行应变存储性能测试。结果表明,GeSe2:Bi纳米带具有优异的非挥发性应变存储能力,且张应变作用下的效果更为显著。本文中以单根GeSe2:Bi纳米带为基础的非挥发性存储器件的制备为下一代新型存储器件提供了较为有利的参考。