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顶发射OLED(TOLED: Top-emitting Organic Light Emitting Device)因具有较高的透射率、发光亮度、发光效率而受到产业界与学术界的广泛关注。本论文在正交试验和传输矩阵法模拟计算基础上，设计筛选最佳TOLED器件结构和参数，并制备相应器件对计算结果进行验证，旨在获得高效率、高透射率的TOLED器件，同时研究不同透明电极结构对器件发光性能的影响规律，主要研究内容包括以下三部分：1.模拟计算出基于MoO3/Ag/MoO3透明电极的荧光TOLED的最高透射率，制备一系列以MoO3/Ag/MoO3为电极的荧光TOLED，验证模拟计算的准确性，优化出最佳电极结构，即MoO3(10nm)/Ag(10nm)/MoO3(25nm)，以此制备的TOLED器件透射率达到88.23%，最大亮度和最大电流效率分别为20076cd/m2和4.03cd/A，比传统器件提升了18.5%和56%。之后采用相同方法制备了一系列以MoO3/Ag/MoO3为电极的磷光TOLED，优化得到最佳电极结构为MoO3(10nm)/Ag(10nm)/MoO3(25nm)，以此制备的器件透射率达到了88.89%，最大亮度和最大电流效率分别为52457cd/m2和32.5cd/A，较传统器件提升了110%和47%。器件性能的提升主要归因于MoO3/Ag/MoO3电极结构的高稳定性，且能够有效提高空穴注入能力。最后，利用MoO3(10nm)/Ag(10nm)/MoO3(25nm)电极结构，制备了红、绿、蓝三基色磷光TOLED，与传统磷光OLED相比，发光性能均有提升。2.在制备了以MoO3/Ag/MoO3为电极的磷光TOLED的基础上，选取与MoO3能级、透射率、空穴注入能力相似的m-MTDATA材料，通过模拟计算设计出最佳透明电极结构m-MTDATA(10nm)/Ag(12nm)/MoO3(25nm)，以此制备的TOLED透射率达到87.89%，最大亮度和最大电流效率分别为59743cd/m2和27.5cd/A，比传统OLED提升了139%和24.4%。以m-MTDATA/Ag/MoO3为电极的磷光TOLED在较低电压下有很高的亮度。3．以HAT-CN为空穴传输材料，通过模拟计算，设计出最佳透明电极结构为HAT-CN (10nm)/Ag(12nm)/MoO3(20nm)，其透射率达到85.19%，所制备的磷光TOLED最大功率效率与电流效率分别达到14.3lm/W和23.2cd/A，与传统OLED器件相比分别提升13%和5%。以HAT-CN/Ag/MoO3为透明电极的磷光TOLED器件效率滚降不明显，在高电流密度下仍有较高的发光效率。