ZnO基压敏电阻以ZnO‐Bi2O3（ZnBiO）基压敏陶瓷为主要原料制备，是目前应用最广泛的压敏电阻，用于几乎所有电路的过压保护。与ZnBiO基压敏陶瓷相比，ZnO‐Pr₆O₁₁（ZnPrO）基压敏陶瓷具有组分相对简单、化学稳定性好、抗老化特性优良等特点成为研究的热点。与传统ZnBiO基压敏陶瓷一样，ZnPrO基压敏陶瓷这些突出的功能特性同样依靠掺杂Cr₂O₃、Co₂O₃及MnO₂等掺杂来实现。探索掺杂影响机理的研究也因此成为ZnPrO基压敏陶瓷研究及应用的基础。ZnPrO基压敏陶瓷中添加MnO₂时，晶界上易形成钙钛矿型PrMnO₃颗粒相。然而，Mn以这种化合物形式添加时对ZnPrO系压敏陶瓷的影响机理尚不清楚，因此，本论文首先采用固相合成法制备出了纯相PrMnO₃前驱体，然后采用传统混合氧化物工艺制备出ZnO‐Pr₆O₁₁‐Co₂O₃‐Cr₂O₃‐PrMnO₃压敏陶瓷，并在保证Pr掺杂量为3mol%不变的基础上，研究了PrMnO₃前驱体在0.25～1mol%范围内对所制备出的ZnPrO基压敏陶瓷的影响，并采用唯象晶体生长动力学方法研究PrMnO₃前驱体掺杂ZnPrO基压敏陶瓷在烧结过程中晶粒的生长机理。最后，对比分析了Mn以MnO₂、MnCO₃和PrMnO₃三种不同氧化物形式掺杂对ZnPrO基压敏陶瓷的相对密度、相组成、显微形貌及电性能等的影响。研究结果表明：在所研究的烧结温度（1250～1350℃）、掺杂量（0.25～1mol%）及保温时间（1～6h）范围内，0.25mol%PrMnO₃前驱体掺杂ZnPrO基压敏陶瓷在烧结温度为1300℃时保温1h,可以获得致密度高、显微结构均匀、平均晶粒尺寸大并具有相对优良的电学特性的ZnPrO基压敏陶瓷。在烧结温度为1300℃下分别保温1，2，4，6小时，得出了随着PrMnO₃前驱体掺杂量的增加，晶粒生长动力学指数n从5.13减小到4.29，激活能Q值变化范围为318.7～498.9KJ/mol的结果，确定在掺杂PrMnO₃前驱体的ZnPrO基压敏陶瓷在烧结过程中，ZnO晶粒生长机制主要是液相传质和颗粒相钉扎作用共同影响的。对比研究了用MnO₂、MnCO₃和PrMnO₃三种不同Mn掺杂形式对ZnPrO基压敏陶瓷的影响。三种不同形式的变化对相组成无明显影响，然而，以前驱体形式掺杂时，可显著改善陶瓷的烧结特性：烧结后，陶瓷的显微结构更加均匀，显微结构更加均匀，与其它两种掺杂方式相比，Mn以PrMnO₃的形式进行掺杂时，其对电学特性的优化作用相对较弱，其主要原因与以前驱体形式掺杂时，大部分Mn被“固定”于前驱体中，无法通过以离子形式在晶界上的分布来促进晶界势垒形成有关。研究结果为通过掺杂形式人为调控ZnPrO基压敏陶瓷的显微结构及性能提供了有效途径。