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本文采用Lee-Low-Pines(LLP)变分法研究了纤锌矿氮化物量子阱中自由极化子能量和电子-声子相互作用对自由极化子能量的影响。理论计算中考虑了量子阱中定域声子模(confined phonon modes)和半空间声子模(half-space phonon modes)的影响以及光学声子频率的各向异性。给出纤锌矿和闪锌矿InxGa1-xN/GaN、GaN/AlxGa1-xN量子阱中自由极化子基态能量、第一激发态能量以及跃迁能量(第一激发态到基态)随阱宽L和组分X的变化关系。数值计算结果表明，In0.3Ga0.7N/GaN和GaN/Al0.3Ga0.7N量子阱中自由极化子基态能量、激发态能量和跃迁能量随阱宽增大而减小，最后趋于体材料In0.3Ga0.7N和GaN的三维值。闪锌矿量子阱中极化子能量大于纤锌矿量子阱中极化子的能量，而纤锌矿量子阱中电子-声子相互作用对极化子能量的贡献大于闪锌矿量子阱中相应值。比如，阱宽L=15nm时，纤锌矿In0.3Ga0.7N/GaN和GaN/Al0.3Ga0.7N量子阱中这贡献约35meV和40meV，而闪锌矿In0.3Ga0.7N/GaN和GaN/Al0.3Ga0.7N量子阱中这贡献约30 meV和35meV。阱宽较小时，定域声子的贡献小于半空间声子贡献，而阱宽较大时，定域声子的贡献大于半空间声子贡献。In0.3Ga0.7N/GaN和GaN/Al0.3Ga0.7N量子阱中电子-声子相互作用对极化子能量的贡献比GaAs/Al0.3Ga0.7As量子阱中的相应值(约2.4meV)大的多，因此讨论氮化物量子阱中极化子能量时不能忽略电子-声子相互作用。计算结果还表明，InxGa1-xN/GaN和GaN/AlxGa1-xN量子阱中极化子的跃迁能量随In/Al组分X的增加而增加，并且在阱宽比较窄时，跃迁能量随组分X的增加趋势比较明显，而阱宽较大时，这一变化变的缓慢。同时还发现，在InxGa1-xN/GaN量子阱中，电子-声子相互作用对极化子能量的贡献随着In组分x的增加而减少，而在GaN/AlxGa1-xN量子阱中，情况正好相反。