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紫外光敏电阻器在光谱分析、火焰检测、臭氧检测、导弹预警、外太空技术和生物医药等领域有着巨大的应用前景,尤其是日盲光敏电阻器可以不受太阳光的干扰,具有较高的准确度。但是目前紫外光敏电阻器的暗光电阻比还不是很高,而且还没有日盲光敏电阻器的相关报道。本文主要是针对高暗光电阻比ZnO基光敏电阻器和MgZnO基日盲光敏电阻器做了系统性的研究,内容分如下几个部分：1.制备了高暗光电阻比的ZnO基紫外光敏电阻器。用rf-MBE在c面蓝宝石衬底上生长了ZnO薄膜,研究了MgO缓冲层对于薄膜结构、光学和电学性能的影响,在此基础上制作了ZnO基紫外光敏电阻器。结果表明,MgO缓冲层可以极大地调节晶格失配,改善薄膜结构和光学、电学性能。紫外光敏电阻器的暗光电阻比高达2.3×105,在波长小于360nm的范围内,响应度超过1Ω-1·W-1。2.用rf-MBE在r面蓝宝石衬底低温ZnO缓冲层上生长出了非极性高质量的α面ZnO薄膜。研究了衬底温度和缓冲层厚度对于薄膜质量的影响,并对a面ZnO薄膜的晶格振动和发光机理进行了系统的研究。结果表明：通过调节外延生长温度(630-C)和适当厚度(5nm)的LT-ZnO缓冲层,ZnO薄膜质量得以显著提高。3.制作了低Mg组份的极性和非极性MgZnO紫外光敏电阻器。用rf-MBE在c面和r面蓝宝石衬底上生长了低Mg组份c面和a面MgZnO合金薄膜,制备了MgZnO紫外光敏电阻器。c面MgZnO紫外光敏电阻器的暗光电阻比高达105,波长小于310nm范围内响应度大于0.31Ω-1·W-1；a面MgZnO紫外光敏电阻器的暗光电阻比为三个数量级,336nm处响应度最大,为1.4×10-31Ω-1·W-1。4.提出并实现了高性能的MgZnO日盲紫外光敏电阻器。用rf-MBE在r面蓝宝石衬底上采用双Mg组份渐进的低Mg组份MgZnO缓冲层,生长了单相纤锌矿非极性α面Mg0.48Zno.52O薄膜,并制备了日盲光敏电阻器。日盲光敏电阻器的响应度超过7.5×1041Ω-·W-1,暗光电阻比为1.7×104,这与目前的可见和红外光敏电阻器暗光电阻比相当,有关工作还没有见到报道。5.用rf-MBE在蓝宝石衬底MgO缓冲层上研制了高声表面波传播速度的IDTs/ZnO/LT-ZnO/MgO/Al2O3结构的ZnO基声表面波滤波器。声传播速度最高达5010m/s,这是蓝宝石衬底上制备的ZnO基SAW器件文献报道中速度较高的。