空间太阳电池工作时直接暴露于空间环境中，受到空间带电粒子和宇宙射线的轰击，极易造成辐射损伤，造成空间电源系统性能下降，从而影响整个航天器的可靠性和飞行寿命。为满足空间动力需求，新型、高效空间太阳电池不断研制成功，为提高太阳电池的抗辐射能力，尽快实现新型太阳电池的空间应用，所以，研究这些新型空间太阳电池的辐射效应和损伤机理很迫切也很必要。　　 本文承继以前的工作，研究了目前国产主流Si太阳电池(BSR)和背场Si太阳电池(BSFR)的辐照特性和辐照后25℃和70℃不同温度下的退火特性。　　 本文比较系统地对国产、MOCVD技术研制的GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池进行了1MeV电子辐照试验，获得了电参数和光谱响应得辐射损伤规律；获得了辐照前后电池的暗特性；建立了电致发光测试方法，对电池各子电池的辐照和退火特性进行了研究。根据不同方法得出的结果，对GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的辐射损伤机理进行了分析和讨论。　　 主要结果如下：　　 (1)Si BSR电池和电池辐照实验结果表明Si BSR电池抗辐射能力好于Si BSFR电池。辐照后退火结果表明，两种电池在70℃条件下比25℃条件下更易退火。SiBSR电池退火后恢复程度比Si BSFR电池大。　　 (2)GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池电参数结果表明，GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池不仅有很高的初始效率，而且有很好的抗辐射能力。　　 (3)GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池光谱响应结果表明，辐照后GaAs中间电池电流密度的退化限制了电池整体的电流，使各子电池电流失配，成为GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池性能退化的主要原因。　　 (4)GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池电致发光结果表明，GaAs中间电池辐照后复合中心的引入远高于GaInP顶电池，而且辐照后在室温条件下，GaInP顶电池的复合中心就发生了一定的退火。表明了GaInP比GaAs具有更好的抗辐射能力。