【摘 要】
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808nm高功率半导体激光器采用GaAs晶体的<110>自然解理面作为谐振腔，其腔面反射率在32％左右。为了得到高的微分量子效率、输出功率及低的阈值电流密度，需在激光器的前腔面镀增透
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808nm高功率半导体激光器采用GaAs晶体的<110>自然解理面作为谐振腔，其腔面反射率在32％左右。为了得到高的微分量子效率、输出功率及低的阈值电流密度，需在激光器的前腔面镀增透膜，后腔面镀高反膜。 本论文从薄膜光学原理出发，选用Si和SiO2作为镀膜材料，进行了膜系设计。围绕镀膜工艺，利用磁控溅射镀膜机，进行了反复实验，通过测试和理论分析，找到了最佳工艺条件，成功制作了腔面膜。经测定，镀制增透膜后，前腔面反射率由无膜时的32％降低到了镀膜后的6.87％；而镀制高反膜后，后腔面反射率提高到97.83％，并且具有膜层少、波段宽、吸收小、损耗低等优点。采用UV3100PC分光光度计测试光谱特性，并给出了实验曲线和实验数据，以及综合评价结果。
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