【摘 要】
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设计为纳米电子器件的集成电路由四个部分构成:基板、运算器、存贮器和导线.该文研究的重点是:纳米宽度导电图形的制备可以用扫描隧道显微镜(STM)来完成.该文尝试利用STM进行
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设计为纳米电子器件的集成电路由四个部分构成:基板、运算器、存贮器和导线.该文研究的重点是:纳米宽度导电图形的制备可以用扫描隧道显微镜(STM)来完成.该文尝试利用STM进行纳米加工,工作基质采用电双稳材料,在选定的区域上,用人工或计算机操纵STM针尖位置,在样品的局域表面产生一个强场,在合适的针尖电压和扫描速度下,针尖电场就会使扫描过的部分发生跃迁,即原来为绝缘态的材料变为导电态,从而在材料表面获得纳米有机导线或导电图形.该文由两个部分构成.第一部分研究了如何利用STM选择合适的电双稳态材料,并探讨进行电学改性和纳米导电图形加工的方法.第二部分讨论了纳米加工的改进方法,并由现有的结果引发相关的应用:纳米一维超高速高可靠过电压保护器.
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近年来,随着微纳制备工艺的逐渐完善,构造出自然界不存在的复合人工媒质-超材料已经成为可能。这种可人为设计单元结构的材料为我们带来了许多特异新颖的物理特性,如负折射。此独特的设计理念使其迅速成为国内外的研究热点。此外,最近将超材料由三维向二维方向推动的研究-超表面,也吸引了很多研究者的目光。超表面的厚度一般在亚波长量级,轻便且易于组装和集成,可应用于多种光学器件的设计,目前已经掀起了新的研究热潮。本
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