传统的整流器件采用普通二极管或肖特基二极管,一般前者的通态压降为1.0V~1.2V,后者的通态压降为0.4V~0.8V,造成整流损耗增大,整流效率降低。而功率MOS管导通电阻极低,使整流损耗明显降低[1],整流效率显著提高,故可使用功率MOS管进行整流,即使用同步整流技术。反激变换器具备输入与输出电气隔离、电路拓扑结构简单、易于多路输出、电压升/降范围广等优势,在小功率场合应用广泛。本文基于CSMC 1μm/25V CMOS工艺,采用反激式同步整流结构、电压型自驱动控制方式,设计了一款既能工作于连续模式、又能工作于断续模式的二次侧同步整流控制芯片。可有效减小二次侧整流器功耗。集成了针对一次侧控制系统输出电压的检测功能,通过检测同步整流管漏端电压,该芯片可输出理想驱动信号。电源电压5V~20V。流片后测试,最低电压、最大负载时整流效率最高可达约87%。该芯片内部主要包括电源模块、基准源模块、逻辑控制模块、驱动模块和保护电路模块。它的优势主要体现在以下方面:(I)优化了控制理论。与传统的同步整流控制芯片不同,本文通过设置动态参考电压,作为开启阈值和关断阈值,使芯片既能工作于电感电流连续模式,又能工作于电感电流断续模式。(II)电源模块内置LDO。一方面给内部低压电路供电,一方面驱动同步整流MOS管。(III)延迟时间短,效率高。该芯片的开启延迟时间和关断延迟时间典型值小于309),远低于同类芯片APR34309C的相应参数。(IV)支持电源电压5V~20V。同类芯片APR34309C的工作电压为5V。(V)外围电路简单,结构简洁。