【摘 要】
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ZnO作为一种重要的宽直接带隙半导体材料日益受到人们的关注.由于具有良好的光电和压电特性,ZnO可广泛应用于蓝-紫光发光器件、声表面波、透明电极和紫外光探测器等方面.该论
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ZnO作为一种重要的宽直接带隙半导体材料日益受到人们的关注.由于具有良好的光电和压电特性,ZnO可广泛应用于蓝-紫光发光器件、声表面波、透明电极和紫外光探测器等方面.该论文的主要工作是生长高质量的ZnO薄膜.采用MOCVD方法,以DEZn和O<,2>为源在蓝宝石衬底上生长出了c方向单取向的单晶级ZnO薄膜,经分析,ZnO薄膜为富Zn生长,在可见区域为高透明材料,透过率超过80﹪,在紫外波段有陡峭的吸收边.室温光荧光谱中观察到高强度的紫外发光.对ZnO薄膜掺N的研究表明,通过等离子体发生器离化可以比较有效地将N掺入ZnO膜中,生长出高阻的ZnO薄膜.掺N后电阻率提高了近5个数量级,达到5×10<4>Ω·cm.同时掺N的ZnO薄膜仍体现出了高质量,室温光荧光谱观察到很强的自由激子复合发光.
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