随着科技的不断发展,人们对功率半导体电压电流容量的要求与日俱增。压接式绝缘栅双极晶体管(IGBT)具有寄生电感低、功率容量大、开关速度快、失效短路等优点,逐渐应用在高压大功率输配电工程中。为保证器件在工况下的可靠性,IGBT器件在出厂前需进行高温反偏(HTRB)试验。被测器件需在规定温度下进行试验以得到准确测试结果,因此试验过程中需对器件结温进行实时监控。而对于压接IGBT器件来说,其热阻随温度及夹具施加压力变化,因此其热阻测试难度非常大,因此通过热阻计算压接器件芯片结温尤为困难。为在高温反偏试验中实时监控器件结温,使用电学法对被测器件芯片结温进行监控,实验中选取漏电流作为温敏参数,利用标准电压下漏电流与结温的一一对应关系对被测器件结温进行计算。此外针对压接IGBT器件双面散热,热阻难以测量的问题,本文提出使用水冷散热器进出口水温测试其散热功率比,以此计算器件双面热阻,并设计制作热阻测试夹具,满足压接IGBT器件热阻测试需要。具体内容包括以下几点:一、研究漏电流测温法的原理,并搭建漏电流校温曲线测试平台;讨论了电压波动对测试结果的影响,并提出利用e指数公式对校温曲线进行拟合。二、研究不同温度下,功率脉冲产生的热量与芯片温升的关系,避免阻断态漏电流与温度关系测量过程中产生自升温对漏电流校温曲线产生影响。三、使用漏电流测温法对8小时高温反偏试验的被测器件进行测温,并将其测试结果与传统热阻计算结温的方法进行比对,验证了漏电流测温法的准确性。四、为研究压力对压接IGBT器件温度及热阻测量的影响,搭建单管压接IGBT器件测试夹具,该夹具可对器件施加可测可调的压力、可为器件提供电气连接、可对器件施加不均匀压力。本文使用该夹具研究了压接IGBT器件电学特性随温度及压力的变化规律。五、研究热对流、热辐射对双面热阻测试结果产生的影响,并搭建3300V/1500A压接IGBT器件双面热阻测试平台,利用其水冷散热器进出水口的水温对器件C、E面散热比进行计算,并计算器件双面热阻。六、利用Phase11及自制夹具对被测压接器件施加不同压力,研究施加压力对器件双面热阻的影响规律。