SiC低维纳米材料表面修饰及其场发射性能研究

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【摘要】

：

本文以具有优异场发射性能的SiC阴极材料研发为目标,依据局域场增强效应、增加发射点密度和降低功函数等原理,分别采用离子溅射法和气相沉积技术,实现SiC低维纳米材料的金属纳米颗粒表面修饰。论文工作系统评价了金属纳米颗粒修饰前后SiC低维纳米结构的场发射特性,研究了金属纳米颗粒修饰对SiC场发射阴极开启电场、阈值电场以及电子发射稳定性的影响及其机理,实现了具有优良场发射性能的SiC阴极材料研发。综合本

【作者】

：

陈强

【机构】

：

景德镇陶瓷学院

【发表日期】

：

2016年01期

【关键词】

：

有机前驱体高温热解 SiC纳米线表面修饰场发射性能

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