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自组装膜(Self—Assembled Monolayers，SAMs)技术是近二十几年发展起来的新型有机成膜技术，目前已成为最活跃的研究领域之一。电化学测试方法由于其灵敏度高、快捷、方便、仪器便宜、操作简单和选择性好等优点，是SAMs最为方便的研究方法。本论文研究了金电极上自组装单层的电化学行为，为我们进一步深入研究自组装膜奠定了基础。具体内容如下：
1．对近年来自组装单分子膜(SAMs)的有关研究从以下三方面进行综述：自组装单分子膜(SAMs)的分类及相关参数，并用GS 98对SAMs的厚度d和覆盖量厂进行粗略估算；对金电极表面的自组装单分子膜(SAMs)的吸附及脱附反应方程式进行归纳和总结；对自组装单分子膜(SAMs)渗透性文献进行总结和分类。
2．系统地研究了多晶金电极在缓冲体系和非缓冲体系中的基本电化学性质。在缓冲体系中，金的氧化还原峰电位及初始析氢电位与pH有良好的线性关系，斜率分别为：73.3 mV pH-1、67.6 mv pH-1和75.4．mV pH-1，在非缓冲体系中，则在0.7 V和0.2 V附近出现了两个还原峰；考察了五种不同阴离子的影响，发现在金电极上阴离子吸附性的强弱为Cl-＞SO42-＞PO43-＞NO3-＞ClO4-，且随着阴离子浓度的增大，K3Fe(CN)6的可逆性变好；粗糙因子γ也影响K3Fe(CN)6的可逆性：0.1 M NaClO4(pH=6.7)非缓冲溶液中，粗糙因子越大，K3Fe(CN)6的可逆性越差，而在0.1 M KH2PO4-Na2HPO4(pH=7.0)缓冲溶液中，粗糙因子γ和K3Fe(CN)6的可逆性没有明显相关关系。
3．采用循环伏安法和交流阻抗技术，从分子水平上就微分电容Cd、倾斜角φ、相角Φ及表观速率常数Kapp等电化学参数系统地研究了不同pH值下缓冲体系和非缓冲体系中金电极和金电极上自组装的纳米级十二烷基硫醇自组装单层(C12SH-SAMs)的电化学行为，并进行相互比较。主要结论如下：中性条件下，C12SH-SAMs膜质量最好；弱酸性和弱碱性次之；在强酸及强碱溶液中，形成SAMs膜质量最差；在所有研究体系中，C12SH-SAMs的微分电容均随扫速的增大而减小，扫速为20 V s-1时变稳定；C12SH-SAMs的初始氧化及还原解吸电位随pH变化而负移。在pH小于10时，析氢电流和还原解吸电流混合，因此不能求覆盖量Гm，仅仅在强碱溶液(pH=13)时，出现良好的还原峰，可以用来求覆盖量Гm。4．采用电化学方法研究了金电极上半胱胺自组装单层(CA—SAMs)的电化学性质，主要包括以下内容：半胱胺自组装单层(CA—SAMs)动力学研究，随着时间的增长，形成的半胱胺自组装单层(CA—SAMs)的覆盖量逐渐增大，1 h后达到吸附平衡；亚甲基蓝在半胱胺修饰电极上的电化学研究表明亚甲基蓝在半胱胺修饰电极上是吸附过程；半胱胺修饰金电极使K3Fe(CN)6的可逆性变好，而修饰半胱胺/DNA后，电极对K3Fe(CN)6的电子传递呈阻碍作用。