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目的 以中医“治未病”理论为指导，采用固护正气、祛除病邪的方法，探讨穴位针刺预处理扶正对机体抗邪能力的影响。证实肾俞、百会穴针刺预处理的抗脑缺血再灌注损伤作用，并探讨其作用机制。方法 以雄性Wistar大鼠为研究对象，肾俞、百会穴电针10min，留针20min，连续循环4次(共计2hr)为针刺预处理方式，颈动脉引流法全脑缺血再灌注造模，采用脑组织HE染色观察证实其作用及特点、基因芯片技术及免疫细胞化学方法探讨其作用的分子机制。共分5个实验。结果①颈动脉引流法全脑缺血7min再灌注1d大量神经细胞变性坏死，再灌注3d达高峰，再灌注7d趋于稳定；穴位针刺预处理后间隔0.5hr再行脑缺血造模，各时间段大脑顶皮质Ⅰ区Ⅴ层幸存神经元密度显著高于造模对照组、穴位针刺预处理后间隔1.5hr组和穴位针刺预处理后间隔3hr组(P＜0.05)，穴位针刺预处理后间隔3hr组与造模对照组无显著差异(P＞0.05)；②肾俞、百会穴针刺预处理后0.5hr，脑组织20个基因表达出现显著差异，这20个差异基因反映出针后0.5hr神经元的生理、生化状态；③肾俞、百会穴针刺预处理对正常大鼠皮质神经元NMDA受体表达无影响(P＞0.05)，但可使脑缺血再灌注大鼠皮质NMDA受体的表达维持于相对高的水平(P＜0.05)；④大鼠肾俞、百会穴针刺预处理促进脑缺血再灌注时室旁核ACTH的表达、抑制杏仁核CRF合成；对正常大鼠亦有一定的作用(P＜0.05)。结论①颈动脉引流法全脑缺血再灌注造模可导致明显的全脑弥散性神经元缺血性病理变化；②肾俞、百会穴针刺预处理具有明显的抗脑缺血再灌注损伤作用，该作用以穴位针刺预处理后0.5hr左右效果最佳；③肾俞、百会穴电针10min，留针20min，连续重复4次(共计2hr)后间隔0.5hr再行全脑缺血再灌注造模的研究模型基本可以确立；④肾俞、百会穴针刺预处理所导致的神经元功能变化是其发挥抗脑缺血再灌注损伤作用的重要基础；⑤调节神经元NMDA受体功能、促进中枢ACTH表达是其发挥作用的可能途径之一；⑥调节下丘脑功能、调控机体应激反应，维持内环境稳定是其发挥作用的重要方面；⑦肾俞、百会穴针刺预处理的抗脑缺血再灌注损伤作用可能是针刺信息多层次、多途径作用于神经元的结果；⑧以中医“治未病”理论为指导，按一定方式对机体具有固护正气、祛除病邪作用的穴位施以针刺处理，可以提高机体的抗病能力，减轻随后疾病对机体的损害。