【摘 要】
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该文首先对热电现象、热电材料的发展史、热电材料的研究进展作了较详细的综述.选择了常规半导体SiC及非常规半导体BC为研究对象.采用量子化学Xα方法计算研究了B晶体结构、
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该文首先对热电现象、热电材料的发展史、热电材料的研究进展作了较详细的综述.选择了常规半导体SiC及非常规半导体B<,4>C为研究对象.采用量子化学Xα方法计算研究了B<,X>晶体结构、体系的总能量、键组、结构中链及时二十面体上所带的电荷,及掺Si对B<,X>C的晶体结构、总能量、所带电荷的影响;对B<,X>C掺Si用手工混和均化再热压烧结制备试样,研究了掺Si对试体的烧结、显微结构、热电性能的影响.最后,研究了渗透型的B<,4>C-TiB<,2>体系的热电性能,通过对加TiC,TiC与B<,4>C反应生成TiB<,2>可有效地促进烧结.
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