W-Cu难熔合金具有高耐热性、高导电性和抗电弧、抗磨损等性能,常用于军事上电磁炮导轨、高压电触头、电子封装材料和航空陀螺转子材料使用,W-Cu难熔合金具有广泛的应用领域。目前常用的烧结技术和工艺由于存在烧结缺陷和技术限制,不利于W-Cu难熔合金微观结构和性能的进一步优化。因此,开发新的烧结技术在较低温度下获得高致密度、细晶、组织均匀的W-Cu难熔合金具有很重要的现实意义。本文首先以高纯W粉和Cu粉为原料,通过高能球磨机球磨混合分散配制出了90W-10Cu合金体,其粉体粒径在4μm以下;其次通过热压烧结与振荡压力烧结工艺之间的对比,研究了W-Cu难熔合金烧结过程中的晶粒生长活化能、烧结工艺与微观组织及性能的关系,且对振荡压力烧结机理进行了分析。振荡压力烧结工艺的影响要素有烧结温度、烧结时间、压力中值、振幅、频率等,本文主要研究了烧结温度和烧结时间对其的影响。不同烧结温度下制备的W-Cu难熔合金,振荡压力烧结工艺在振荡压力为30±5MPa,频率为1Hz,保温时间为1h,烧结温度为1080℃时,样品致密度、硬度、电导率分别为99.38%、163.8HV、12.9%IACS;不同烧结时间下制备的W-Cu难熔合金,振荡压力烧结工艺在振荡压力为30±5MPa,频率为1Hz,烧结温度为1100℃,保温时间为2h时,样品致密度、硬度、电导率分别为99.25%、148.3HV、14.5%IACS,在振荡压力烧结工艺下的晶粒尺寸均为出现晶粒异常长大现象,其晶粒尺寸在4μm以下。而热压烧结工艺在压力为30MPa,保温时间为1h,烧结温度为1400℃时,样品致密度、硬度、电导率分别为99.40%、193.5HV、25.9%IACS,其晶粒尺寸超过了9μm。结果表明,与热压烧结比较,振荡压力烧结可以有效地促进W-Cu难熔合金的致密化,降低烧结温度和烧结过程中的晶粒生长活化能,抑制晶粒生长,提高材料性能,有利于在低温条件下制备高致密度、细晶W-Cu难熔合金。